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电子元器件详细资料 » IC[28743] » SIE810DF-T1-E3
型号:SIE810DF-T1-E3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:10-PolarPAK?(L)描述:MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C1.4 欧姆 @ 25A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs300nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds13000pF @ 10V
功率_最大125W
安装类型表面贴装
封装/外壳10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装10-PolarPAK?(L)
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市宇明芯科技有限公司李小姐0755-83051566
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市励芯恒智能科技有限公司雷先生0755-23487994
深圳德田科技有限公司李小姐86-0755-83254070/18680328178
天津市博通航睿技术有限公司马先生18322198211
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SIE810DF-T1-E3相关型号

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